Nous nous faisions l’écho tout récemment de la découverte d’un procédé pour produire en masse et en quantité du graphène, ce matériau naturel aux propriétés thermiques, électriques et mécaniques sans égales par rapport au silicium. Une actualité en appelant une autre, des chercheurs du MIT viennent de mettre au point un nouveau matériau de synthèse qui semblerait plus performant encore !

Bien que supra conducteur, le graphène a un défaut : il ne possède pas de bande d’énergie interdite, cette jonction entre la bande de valence, non conductrice, et la bande de conduction, qui joue le rôle d’interrupteur pour contrôler le passage des électrons. En d’autres mots, le graphène est une autoroute pour les électrons sans moyen pour les contrôler. De ce fait, sa structure doit être modifiée par l’ajout d’autres molécules pour qu’il puisse être utilisé comme semi-conducteur, ce qui altère bien entendu ses propriétés.

De la même structure en nid d’abeille que le graphène, le Ni₃(HITP)₂ a également de très bonnes propriétés de conduction et possède “naturellement” cette bande interdite. Il est aussi plus facile à produire mais, parce qu’il est synthétisé, ce composant ouvre surtout la voie à toute une famille d’autres composants dont les propriétés peuvent être ajustées.